NCE40TD120VT

Наименование: NCE40TD120VT
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V

   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 177 pF

   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 298 nC

   Тип корпуса: TO247