−10%
NNCE· brendning barcha mahsulotlari
NCEP026N10T
Наименование производителя: NCEP026N10T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 240 nC tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.
026N10T
27 000 so'm30 000 so'm−10%
Qaytariladi + 5 so'm keshbek
1
Наименование производителя: NCEP026N10T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 240 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: TO-247