−6%
P157R5NT
Наименование производителя: SVGP157R5NT Маркировка: P157R5NT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 689 pf Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.
14 000 so'm15 000 so'm−6%
Qaytariladi + 3 so'm keshbek
1
Наименование производителя: SVGP157R5NT
Маркировка: P157R5NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 689 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm