−2%
TGAN80N65F2DS
Наименование: TGAN80N65F2DS Тип транзистора: IGBT + Diode Тип управляющего канала: N Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 577 W |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃ |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.
44 000 so'm45 000 so'm−2%
Qaytariladi + 9 so'm keshbek
1
Наименование: TGAN80N65F2DS
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 577 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 69 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 216 nC
Тип корпуса: TO3PN